中华人民共和国国家标准
Code for design of polysilicon plant
主编部门：中国有色金属工业协会
批准部门：中华人民共和国住房和城乡建设部
施行日期：2015年5月1日
中华人民共和国住房和城乡建设部公告
第530号
住房城乡建设部关于发布国家标准《多晶硅工厂设计规范》的公告
现批准《多晶硅工厂设计规范》为国家标准，编号为GB 51034-2014，自2015年5月1日起实施。其中，第4.2.8、6.1.3(9)、6.1.6(3)、6.2.8(3)、8.1.1、8.2.1(2、3、5)、8.2.5(3)、8.3.1(2、3)、8.3.2(2)、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5条(款)为强制性条文，必须严格执行。
本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。
中华人民共和国住房和城乡建设部
2014年8月27日
本规范是根据住房城乡建设部《关于印发<2011年工程建设标准规范制订、修订计划>的通知》(建标[2011]17号)的要求，由中国有色工程有限公司、中国恩菲工程技术有限公司会同有关单位共同编制完成的。
在本规范编制过程中，编制组进行了广泛深入的调查研究，认真总结了我国多晶硅行业的设计、科研、建设和管理经验，并在广泛征求意见的基础上，通过反复讨论、修改和完善，最后经审查定稿。
本规范共分12章和3个附录，主要内容包括：总则，术语，基本规定，厂址选择及厂区规划，工艺设计，电气及自动化，辅助设施，建筑结构，给水、排水和消防，采暖、通风与空气调节，环境保护、安全和卫生，节能、余热回收等。
本规范中以黑体字标志的条文为强制性条文，必须严格执行。
本规范由住房城乡建设部负责管理和对强制性条文的解释，由中国有色金属工业工程建设标准规范管理处负责日常管理工作，由中国恩菲工程技术有限公司负责具体技术内容的解释。在本规范执行过程中如有意见和建议，请寄送中国恩菲工程技术有限公司(地址：北京市海淀区复兴路12号，邮政编码：100038)，以供今后修订时参考。
本规范主编单位、参编单位、参加单位、主要起草人和主要审查人：
主编单位：中国有色工程有限公司
中国恩菲工程技术有限公司
参编单位：华陆工程科技有限公司
洛阳中硅高科技有限公司
多晶硅制备技术国家工程实验室
江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
参加单位：国电内蒙古晶阳能源有限公司
昆明冶研新材料股份有限公司
主要起草人：严大洲 杨永亮 毋克力 肖荣晖 汤传斌 郑红梅 罗英 陈希勇 吴崇义 唐广怀 陈维平 薛民权 付小林 姚又省 杨健 吴昌元 朱龄 赵晓静 李超 杨志国 孙兵 司文学 姜利霞 张升学 谢冬晖 万烨 王利强 高晓辉
主要审查人：朱黎辉 袁桐 杨铁荣 贺东江 周齐领 江元升 陈廷显 崔树玉 银波 刘毅
条文说明制订说明
《多晶硅工厂设计规范》GB 51034-2014，经住房城乡建设部2014年8月27日以第530号公告批准发布。
在本规范编制过程中，编制组经过了广泛深入的调查研究，认真总结了我国多晶硅行业多年发展积累的经验和成果，借鉴了相关国家、行业的先进标准，并在广泛征求意见的基础上，通过反复讨论、修改和完善，最后形成本规范。
为了便于广大设计、科研、企业等单位有关人员在使用本规范时能正确理解和执行条文规定，《多晶硅工厂设计规范》编制组按章、节、条的顺序编制了本规范的条文说明，对条文规定的目的、依据以及执行中需要注意的有关事项进行了说明，还着重对强制性条文的强制性理由作了解释。但是，本条文说明不具备与规范正文同等的法律效力，仅供使用者作为理解和把握规范规定的参考。
1.0.1 为规范多晶硅工厂的工程设计，提高工程设计质量，做到技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能，制定本规范。
1.0.2 本规范适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计，也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。
1.0.3 多晶硅工厂设计应积极采用节能、环保、高效、先进的装备和工艺，提高资源、能源利用率，实现物料、能源综合利用和清洁生产。
1.0.4 多晶硅工厂设计除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。
条文说明1.0.1 本条提出的“技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能”是国家的基本技术经济政策，也是多晶硅工厂设计应贯彻实施的方针；建设资源节约型、环境友好型社会，发展循环经济是国家经济发展的一项重大战略思想。
1.0.2 已经实现工业化生产的多晶硅生产工艺有冶金法、三氯氢硅氢还原法以及硅烷法等，其中三氯氢硅氢还原工艺成熟，适合大规模工业化生产，是目前国内外主流生产工艺，采用此方法的产能占多晶硅总产能的85％以上。本规范适用于三氯氢硅氢还原生产工艺；以歧化工艺为主的硅烷法的三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和精馏环节与三氯氢硅氢还原工艺基本相同，也按本规范的有关规定执行。
2.0.1 三氯氢硅氢还原法 trichlorosilane hydrogen reduc-tion process
经过不断完善的多晶硅生产主流工艺，是将高纯三氯氢硅与高纯氢气按一定比例通入还原炉，发生还原或热分解反应，在1050℃左右的高纯硅芯基体表面上沉积生长多晶硅；同时具备回收、利用生产过程中伴随产生的氢气、氯化氢、四氯化硅等副产物以及副产热能，最大限度地实现“物料内部循环、能量综合利用”的多晶硅生产工艺。
2.0.2 多晶硅 polysilicon
单质硅的一种形态，硅原子以晶格形态排列成许多晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒组合结晶成多晶硅。根据用途可分为太阳能级和半导体级。
2.0.3 还原尾气干法回收 reduction off-gas recovery by dry method
一种相对于传统湿法回收尾气工艺的方法，利用尾气中各组分物理化学性质的差异采用冷凝、吸收、解析、吸附等方法，将其逐一分开回收、提纯，再重新返回生产系统循环利用。
2.0.4 四氯化硅氢化 silicon tetrachloride hydrogenation
一种处理多晶硅副产物四氯化硅的方法，与氢反应将其转换成三氯氢硅。
2.0.5 三氯氢硅合成 trichlorosilane synthesis
一种制取三氯氢硅的方法，将硅粉和氯化氢通入有一定温度的反应器内通过化学反应生成三氯氢硅。
2.0.6 氯硅烷精馏 chlorosilane distillation
一种通过气液交换，实现传质、传热，使氯硅烷混合物得到高纯度分离的方法。
2.0.7 液氯汽化 liquid chlorine vaporization
一种将液氯加热蒸发成氯气的方法。
2.0.8 氯化氢合成 hydrogen chloride synthesis
通过化学反应将氢气、氯气生成氯化氢气体的方法。
2.0.9 盐酸解析 hydrochloric acid stripping
一种将氯化氢从盐酸中解析出来的方法。
2.0.10 还原炉 reduction reactor
一种生产棒状多晶硅的专用设备。
2.0.11 二氯二氢硅反歧化 inverse disproportionating of di-chlorosilane
一种回收利用二氯二氢硅的方法，通过化学反应将二氯二氢硅与四氯化硅转化成三氯氢硅。
2.0.12 多晶硅后处理 polysilicon handling
根据客户和产品分析检测的要求，多晶硅出炉后进一步处理的统称，包括切除头尾、钻棒、滚圆、破碎、分拣、称重、腐蚀、清洗、干燥及包装等。
2.0.13 氯硅烷 chlorosilane
硅烷(SiH4)中的氢原子部分或全部被氯原子取代后的物质统称。通常包括四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)、一氯三氢硅(SiH3Cl)等。
2.0.14 还原尾气 reduction off-gas
还原炉内生成多晶硅的反应过程中未参与反应的原料和生成的副产物的混合气体，主要包括氢气、气态氯硅烷及氯化氢等。
2.0.15 防爆防护墙 explosion-proof protective wall
具有一定防爆能力的隔墙，能防止爆炸产生的飞散物对设施及人员的伤害。
条文说明2.0.4 四氯化硅氢化是将多晶硅生产中大量副产的四氯化硅转化成三氯氢硅的工艺，目前已经实现工业化生产、比较成熟的氢化工艺有热氢化、冷氢化。其中热氢化是在1250℃低压条件下，四氯化硅和氢气直接反应生产三氯氢硅的工艺，该工艺具有易操作、反应无杂质带入、后续精馏简单、电耗高、转化率低等特点；冷氢化是在500℃高压条件下，四氯化硅、氢气与硅粉反应生产三氯氢硅的工艺，该工艺具有电耗低、转化率高、单体设备处理能力大、操作要求高等特点。
3.0.1 太阳能级多晶硅工厂的设计规模应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。
3.0.2 多晶硅工厂应采用符合国家现行有关光伏制造行业规范条件要求的先进工艺技术、节能环保的工艺设备以及安全设施。
3.0.3 多晶硅工厂设计应符合现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB 29447等有关安全、环保、节能、消防以及劳动卫生的规定。
条文说明3.0.1、3.0.2 设计规模及相关规定是根据《光伏制造行业规范条件》(工信部2013年第47号)制订的。这些年多晶硅行业发展迅速，存在重复建设、低质发展以及各种配套设施发展不平衡等问题，国家鼓励发展高技术、低消耗、低排放的新工艺，支持企业提高自主创新能力，引导行业有序发展，为此，《光伏制造行业规范条件》中规定了太阳能级多晶硅的建设规模、产品质量、能耗水平等内容，以及对环境保护、质量管理、安全、卫生等方面提出了要求，还要求企业采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
3.0.3 多晶硅工厂设计除应符合现行国家标准《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB 29447的有关规定外，还应符合即将实施的改良西门子法制备多晶硅企业安全标准化实施指南的有关规定。
4.1.1 厂址选择应符合国家产业政策、用地政策、区域规划及行业专项规划的要求，并应按国家有关法律、法规及前期工作的规定进行。
4.1.2 厂址选择时，应对建厂条件进行调查，应论证和评价厂址对当地经济、社会和环境的影响，并应满足防灾、安全、环保及卫生防护的要求。
4.1.3 厂址选择应符合现行国家标准《工业企业总平面设计规范》GB 50187及《化工企业总图运输设计规范》GB 50489的相关规定，并应符合国家现行有关光伏制造行业规范条件的要求。
4.1.4 厂址宜布局于能源充足、水资源有保障、基础设施配套成熟、产业链布局合理的化工园区，宜采用电厂-多晶硅-化工联营的建厂模式。
4.1.5 厂址应具有满足工程建设要求的工程地质和水文地质条件，并应避开有用矿藏和文物遗址区。
4.1.6 厂址应位于城镇、居民区、工业园区全年最小频率风向的上风侧，不应选在窝风及全年静风频率较高的区域。
4.1.7 配套居住区应与厂区用地同时选择，并宜依托当地城镇的居住设施。
4.1.8 厂址标高宜高于防洪标准的洪水位0.5m以上；不能满足要求时，厂区应有防洪设施，并应在初期工程中一次建成。当厂址位于内涝地区，并有排涝设施时，厂址标高应高于设计内涝水位0.5m以上。
4.1.9 厂址选择应利用荒地、劣地、山坡地及非耕地，并应促进建设用地的集约利用和优化配置。
条文说明4.1.1、4.1.3 这两条是根据《光伏制造行业规范条件》(工信部2013年第47号)及国家相关的建设法规提出的。
《光伏制造行业规范条件》中对项目建设条件规定如下：
(1)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。
(2)在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。
4.1.4 多晶硅生产需要消耗较多的电力、蒸汽、水等动力能源，动力成本占到多晶硅综合成本的50％，一般动力能源短缺的地方能源价格较高，不利于企业保持价格竞争优势，只有能源充足的地方能源价格才相对较低，才能为多晶硅的健康发展奠定基础。因此，为了保证我国信息产业、光伏产业基础原材料的供应安全，需要多晶硅企业布局于能源充足、水资源有保障的化工园区；同时，园区的市政基础和公共环保基础设施应健全，保证企业与当地化工园区的和谐共同发展。
4.1.5 本条是对厂区的工程地质条件作出的规定。
4.1.2、4.1.6 多晶硅生产伴有易燃、易爆、有毒、有腐蚀性物质的存在，应减少对周边环境的影响；并且应将工厂设置在通风良好的地带，使其能较快地排放有害气体。
4.1.8 本条是为了防止厂区遭受洪水或内涝灾害而制订的。
4.1.9 根据国土资源部《工业项目建设用地控制指标》(国土资发[2008]24号)的要求，厂址选择时应尽量利用荒地、劣地、山坡地，不占或少占耕地。进一步加强建设用地的集约利用和优化配置。
4.2.1 厂区近期规划应与企业长远发展、区域规划相一致，宜利用城市或园区已有的水、电、汽、消防、污水处理等公用设施；分期建设的工厂，近远期工程应统一规划，近期工程应集中、紧凑、合理布置，并应与远期工程合理衔接。
4.2.2 厂区应根据工厂规模、生产工艺流程、运输、环保、防火、安全、卫生等要求，并结合当地自然条件规划。
4.2.3 厂区规划应利用地形、地势、工程地质及水文地质条件，合理布置建(构)筑物，并应减少土(石)方工程量和基础工程费用。
4.2.4 厂区应按功能分区规划，可分为生产区、公用工程及辅助设施区、储运区、行政办公及生活服务区。可能散发可燃气体的工艺装置、罐组、装卸区或全厂性污水处理场等设施，宜布置在人员集中场所、明火或散发火花地点的全年最小频率风向的上风侧；行政办公及生活服务区宜布置在厂区全年最小频率风向的下风侧，且环境洁净的地段；公用工程及辅助设施区宜布置在生产区与行政办公及生活服务区之间。
4.2.5 厂区总平面设计应满足生产要求，应根据场地和气象条件布置；厂区总平面布置应满足节能环保的要求，并应保持生产系统流程和人流、物流的顺畅。车间布置应符合下列规定：
1 还原车间、多晶硅后处理及检测分析等有洁净等级要求的生产单元应布置在厂区有害气体和固体尘埃释放源的全年最小频率风向的下风侧。
2 多晶硅后处理、硅芯制备、检测分析及产品库宜贴邻还原厂房。
3 氯硅烷精馏、四氯化硅冷氢化以及还原尾气干法回收等生产单元在满足生产、操作、安装及检修的条件下，应采用框架结构或露天布置，宜集中布置。
4 液氯库、氯硅烷罐区、氢气罐区等宜靠近厂区一侧布置，并应设置安全的装卸场地、装卸通道和装卸设施；构成重大危险源的装置与厂外周边区域的防火间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016、《石油化工企业设计防火规范》GB 50160的有关规定。
5 原辅材料及产品应根据性质分类储存，并应布置在便于运输的地段。
6 电力、动力、热力及供水设施宜位于负荷中心或接近服务对象，管线输送宜短捷。总降压变电站应接近还原车间、热氢化车间等用电负荷大的生产单元，并应保证进出线方便；还原车间、热氢化车间的余热回收或热能转换设施应接近或紧靠还原车间、热氢化车间、氯硅烷精馏装置。
7 相对独立的生产单元的工艺辅助设施宜就近配置，应减少非相关系统对其的影响。
8 循环水站宜布置于通风良好的场所，应远离无组织排放的粉尘或可溶性化学物质的地段。
9 三废处理站应布置在厂区全年最小频率风向的上风侧，并远离生活区，应符合安全卫生要求。
10 各生产单元宜采用集中控制，控制室应布置于爆炸危险区域外，应满足相关安全要求。
11 生产区域内的生活设施宜独立布置或紧邻布置在一侧，并应位于甲类设施全年最小频率风向的下风侧，生活设施的设计应满足防火防爆的要求。
12 办公楼、食堂等生产行政管理设施应与生产区分开布置，并宜布置在厂区全年最小频率风向的下风侧，宜根据城市干道和厂区道路情况确定工厂主要出入口的位置。
4.2.6 厂区道路布置除应满足生产和消防的要求外，还应符合下列规定：
1 应满足通道两侧建(构)筑物及露天设施对防火、安全、卫生间距的要求；
2 应满足各种管线、管廊、道路、竖向设计及绿化布置的要求；
3 应满足施工、安装及检修的要求；
4 应满足预留发展用地的要求。
4.2.7 厂区绿化应符合下列规定：
1 应依据当地的气候条件、土壤等因素布置和选择；
2 应与厂区总平面布置、管网相适应，并应与周围环境、建(构)筑物相协调；
3 不应妨碍生产操作、设备检修、消防作业和物料运输；
4 应根据生产特点、污染状况选择有利于安全生产和职业卫生的植物。
4.2.8 厂区内或附近必须设置四氯化硅等还原反应副产物综合利用或处理设施，四氯化硅等还原反应副产物应综合利用，并应做到无害化处理。
4.2.9 地下管线与建(构)筑物、其他管线的水平距离应根据工程地质条件、构架基础形式、检查井结构、管线埋深、管道直径和管内介质的性质等因素确定，并宜符合本规范附录A、附录B的规定。
条文说明4.2.1、4.2.2 根据企业的发展趋势、当地建设条件以及区域规划适当留有发展余地，正确处理好企业发展近远期的关系，以保证规划的合理性。
4.2.3 本条要求总图布置充分利用地理条件，布局紧凑，减少厂区用地面积。
4.2.4 多晶硅生产中伴有易燃、易爆、有毒、有腐蚀性物质的存在，生产过程中会有氢气、氯化氢等气体无组织排放，为了减轻厂区内生产装置之间的互相影响，便于有毒、有害气体的及时排放和扩散，需要将厂区分区规划，不同的功能区域所处的风向位置也要不同；而且厂区内的平面布置应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016、《石油化工企业设计防火规范》GB 50160、《工业企业设计卫生标准》GBZ 1等有关安全、环保、卫生等方面的规范的要求。
4.2.5 本条根据多晶硅生产的特点，规定了总平面设计的原则。
2 当规模较小时，可将本款所述生产功能合并建造，便于物流管理；当生产规模较大时，可分开建设。
3、4 这些生产装置都伴有氢气、三氯氢硅、氯化氢等危险化学品存在，而且大部分装置内该类物质的存量都超过了临界量，因此有必要将该类装置集中布置，便于重大危险源的管理，而且构成重大危险源的装置与厂内外设施的防火间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016、《石油化工企业设计防火规范》GB 50160等的有关规定；采用框架结构或露天布置是为了便于自然通风和危险气体的扩散。
7 本款是指给各个主工序配套的辅助设施宜就近独立配置，如还原尾气干法回收工段配套的活性炭吸附、冷冻、氢气压缩等设施应单独给该工段配套，减少非相关系统对其的影响。
8、9 多晶硅工厂一般将尾气淋洗和废液处理装置与三废处理站合并或是临近建设，这些装置都有可能无组织排放粉尘和氯化氢等物质，虽是达标排放，但是长期排放也会对循环水站等生产生活设施造成影响。因此循环水站等生产、生活区域应远离该类装置。
4.2.8 本条是强制性条文。设置四氯化硅等还原反应副产物的综合利用或处理设施是为了将这些副产物循环利用，节约资源，保护环境。三氯氢硅氢还原工艺的还原一次转化率低，约为10％，大量未参与反应的物料以及反应副产物以尾气的形式排出生产系统，为了节约资源和保护环境，需将还原尾气中的各个成分有效回收、循环利用；特别是四氯化硅，每生产1t多晶硅副产约18t四氯化硅，如果得不到循环回收使用，必然导致资源浪费和增大环保负担。
'>《多晶硅工厂设计规范[附条文说明]》GB 51034-20141 为便于在执行本规范条文时区别对待，对要求严格程度不同的用词说明如下：
1)表示很严格，非这样做不可的：
正面词采用“必须”，反面词采用“严禁”；
2)表示严格，在正常情况下均应这样做的：
正面词采用“应”，反面词采用“不应”或“不得”；
3)表示允许稍有选择，在条件许可时首先应这样做的：
正面词采用“宜”，反面词采用“不宜”；
4)表示有选择，在一定条件下可以这样做的，采用“可”。
2 条文中指明应按其他有关标准执行的写法为：“应符合……的规定”或“应按……执行”。
《建筑结构荷载规范》GB 50009
《混凝土结构设计规范》GB 50010
《建筑抗震设计规范》GB 50011
《室外给水设计规范》GB 50013
《室外排水设计规范》GB 50014
《建筑给水排水设计规范》GB 50015
《建筑设计防火规范》GB 50016
《采暖通风与空气调节设计规范》GB 50019
《湿陷性黄土地区建筑规范》GB 50025
《压缩空气站设计规范》GB 50029
《建筑照明设计标准》GB 50034
《动力机器基础设计规范》GB 50040
《锅炉房设计规范》GB 50041
《工业建筑防腐蚀设计规范》GB 50046
《工业循环冷却水处理设计规范》GB 50050
《供配电系统设计规范》GB 50052
《建筑物防雷设计规范》GB 50057
《爆炸危险环境电力装置设计规范》GB 50058
《洁净厂房设计规范》GB 50073
《工业循环水冷却设计规范》GB／T 50102
《膨胀土地区建筑技术规范》GB 50112
《建筑灭火器配置设计规范》GB 50140
《石油化工企业设计防火规范》GB 50160
《氢气站设计规范》GB 50177
《工业企业总平面设计规范》GB 50187
《公共建筑节能设计标准》GB 50189
《电力工程电缆设计规范》GB 50217
《建筑内部装修设计防火规范》GB 50222
《建筑工程抗震设防分类标准》GB 50223
《火力发电厂与变电站设计防火规范》GB 50229
《工业设备及管道绝热工程设计规范》GB 50264
《民用建筑工程室内环境污染控制规范》GB 50325
《固定消防炮灭火系统设计规范》GB 50338
《储罐区防火堤设计规范》GB 50351
《气体灭火系统设计规范》GB 50370
《化工企业总图运输设计规范》GB 50489
《石油化工可燃气体和有毒气体检测报警设计规范》GB 50493
《电子工业纯水系统设计规范》GB 50685
《石油化工安全仪表系统设计规范》GB 50770
《工业自动化仪表气源压力范围和质量》GB 4830
《生活饮用水卫生标准》GB 5749
《设备及管道绝热设计导则》GB／T 8175
《污水综合排放标准》GB 8978
《氯气安全规程》GB 11984
《工业企业厂界环境噪声排放标准》GB 12348
《硅多晶》GB／T 12963
《电能质量 公用电网谐波》GB／T 14549
《大气污染物综合排放标准》GB 16297
《中小型三相异步电动机能效限定值及能效等级》GB 18613
《节水型产品通用技术条件》GB／T 18870
《容积式空气压缩机能效限定值及能效等级》GB 19153
《通风机能效限定值及能效等级》GB 19761
《清水离心泵能效限定值及节能评价值》GB 19762
《三相配电变压器能效限定值及节能评价值》GB 20052
《太阳能级多晶硅》GB／T 25074
《多晶硅企业单位产品能源消耗限额》GB 29447
《城镇供热管网设计规范》CJJ 34
《自动化仪表选型设计规定》HG／T 20507
《控制室设计规定》HG／T 20508
《仪表供电设计规定》HG／T 20509
《仪表供气设计规定》HG／T 20510
《仪表系统接地设计规范》HG／T 20513
《仪表及管线伴热和绝热保温设计规范》HG／T 20514
《分散型控制系统工程设计规范》HG／T 20573
《压缩机厂房建筑设计规定》HG／T 20673
《建筑变形测量规范》JGJ 8
《冻土地区建筑地基基础设计规范》JGJ 118
《石油化工自动化仪表选型设计规范》SH 3005
《石油化工控制室设计规范》SH／T 3006
《石油化工仪表供气设计规范》SH／T 3020
《石油化工企业照度设计标准》SH／T 3027
《石油化工企业职业安全卫生设计规范》SH 3047
《石油化工仪表接地设计规范》SH／T 3081
《石油化工仪表供电设计规范》SH／T 3082
《石油化工分散控制系统设计规范》SH／T 3092
《石油化工仪表及管道伴热和绝热设计规范》SH／T 3126
《盐渍土地区建筑规范》SY／T 0317
《导热油加热炉系统规范》SY／T 0524
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